NXP Semiconductors
BUK7613-60E
AC DC DC Modules
BUK7613-60E
55-BUK7613-60E
58A, 60V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Aufbau
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Transistor Element Material
SILICON
Transistor Application
SWITCHING
Surface Mount
YES
Terminal Finish
TIN
Drain Current-Max (ID)
58 A
Drain-source On Resistance-Max
0.013 Ω
Part Life Cycle Code
Transferred
Terminal Position
SINGLE
JESD-30 Code
R-PSSO-G2
DS Breakdown Voltage-Min
60 V
Moisture Sensitivity Level
1
Package Shape
RECTANGULAR
Terminal Form
GULL WING
Betriebsart
ENHANCEMENT MODE
Anzahl der Elemente
1
ECCN Code
EAR99
Case Connection
DRAIN
Pulsed Drain Current-Max (IDM)
234 A
Avalanche Energy Rating (Eas)
37 mJ
Additional Feature
AVALANCHE RATED
JESD-609 Code
e3
Package Description
PLASTIC, D2PAK-3/2
Number of Terminals
2
Rohs Code
Yes
Package Style
SMALL OUTLINE
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Reference Standard
AEC-Q101; IEC-60134
BUK7613-60E Unterlagen
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