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    Beschreibung Technische Daten Unterlagen Einkaufsführer

    Technische Daten

    Unit Weight
    0.004664 oz
    Ausgabetyp
    Phototransistor
    Reaktionszeit
    10µs, 10µs
    Erfassungsdistanz
    0.079" (2mm)
    Maximum Collector Current
    30 mA
    Ausgabekonfiguration
    Phototransistor
    Erfassungsmethode
    Through-Beam
    Fall Time
    10 us
    Produktstatus
    Active
    Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
    30 V
    RoHS
    RoHS Compliant
    Vf - Forward Voltage
    1.3 V
    Vr - Reverse Voltage
    5 V
    Verpackung/Koffer
    PCB Mount
    Anzahl der Kanäle
    1 Channel
    REACH-Status
    REACH Unaffected
    Hersteller
    Omron Electronics Inc-EMC Div
    Maximum Operating Temperature
    + 85 C
    If - Forward Current
    50 mA
    Breite
    2 mm
    Slot Width
    2 mm
    RoHS-Status
    ROHS3 Compliant
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    Not Applicable
    Montageart
    Through Hole
    Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C
    Aperture Width
    0.4 mm
    Beendigungsstil
    Solder Pin
    Strom - Kollektor (Ic) (Max)
    30 mA
    ECCN
    EAR99
    Befestigungsart
    Through Hole
    Wellenlänge
    950 nm
    Minimum Operating Temperature
    - 25 C
    Serie
    EE-SX1105
    Typ
    Unamplified
    Rise Time
    10 us
    Länge
    4.9 mm
    Collector- Emitter Voltage VCEO Max
    30 V
    HTSUS
    8541.49.8000
    Paket
    Bulk
    Pd - Power Dissipation
    80 mW
    USHTS
    8541498000
    Strom - DC vorwärts (If) (Max)
    50 mA

    EE-SX1105 Unterlagen

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