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KDT00030TR

Sensors
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KDT00030TR
54-KDT00030TR
SENSOR PHOTO 630NM TOP VIEW 2SMD
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    Technische Daten

    Number of Channels per Chip
    1
    Fabrication Technology
    NPN Transistor
    PCB changed
    2
    HTS
    KDT00030TR
    Blickwinkel
    -
    Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
    60
    ECCN (US)
    EAR99
    PPAP
    No
    Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
    100 nA
    Produktstatus
    Active
    Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
    6 V
    Automotive
    No
    Minimum Operating Temperature (°C)
    -40
    Maximum Operating Temperature (°C)
    85
    Supplier Package
    SMD
    Verpackung/Koffer
    2-SMD, J-Lead
    Phototransistor Type
    Phototransistor
    REACH-Status
    REACH Unaffected
    Package Height
    0.6
    Hersteller
    onsemi
    Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
    4.6(Typ)
    Polarity
    NPN
    Lens Shape Type
    Flat
    EU RoHS
    Compliant
    Maximum Dark Current (nA)
    100
    RoHS-Status
    ROHS3 Compliant
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    3 (168 Hours)
    Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
    Strom - Kollektor (Ic) (Max)
    1.1 mA
    ECCN
    EAR99
    Package Length
    1.7
    Orientierung
    Top View
    Befestigungsart
    Surface Mount
    Standard Package Name
    SMD
    Wellenlänge
    630nm
    Pin Count
    2
    Mounting
    Surface Mount
    Serie
    -
    Typ
    Chip
    Viewing Orientation
    Top View
    Part Status
    Active
    Peak Wavelength (nm)
    630
    HTSUS
    8541.49.7080
    Paket
    Tape & Reel (TR)
    Package Width
    0.8
    Maximum Light Current (uA)
    1100(Typ)
    Basisproduktnummer
    KDT00030

    KDT00030TR Unterlagen

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