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Nisshinbo Micro Devices_NJL6401R-3-TE1
Nisshinbo Micro Devices_NJL6401R-3-TE1
Nisshinbo Micro Devices

NJL6401R-3-TE1

Sensors
Nisshinbo Micro Devices
NJL6401R-3-TE1
54-NJL6401R-3-TE1
Nisshinbo Micro Devices-NJL6401R-3-TE1-datasheet-789272.pdf
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SENSOR PHOTODIODE 800NM 2SMD
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    Beschreibung Technische Daten Unterlagen Einkaufsführer

    Technische Daten

    Spektralbereich
    -
    Diodentyp
    PIN
    Reaktionszeit
    2ns
    Blickwinkel
    -
    Produkt
    PIN Photodiodes
    Fall Time
    2 ns
    Produktstatus
    Active
    RoHS
    RoHS Compliant
    Vr - Reverse Voltage
    35 V
    Verpackung/Koffer
    2-SMD, No Lead
    Aktiver Bereich
    0.49mm²
    Hersteller
    Nisshinbo Micro Devices Inc.
    Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
    35 V
    Maximum Operating Temperature
    + 85 C
    Farbe – Verbessert
    Infrared(NIR)/Blue
    Peak Wavelength
    780 nm
    Montageart
    SMD/SMT
    Reaktionsfähigkeit @ nm
    0.47 A/W @ 780nm, 0.42 A/W @ 650nm
    Betriebstemperatur
    -30°C ~ 85°C
    ECCN
    EAR99
    Befestigungsart
    Surface Mount
    Wellenlänge
    800nm
    Minimum Operating Temperature
    - 30 C
    Serie
    NJL6401
    Rise Time
    2 ns
    Moisture Sensitive
    Yes
    Aktuell – Dunkel (Typ)
    100pA
    Half Intensity Angle Degrees
    -
    Paket
    Tape & Reel (TR)
    USHTS
    8541497080
    Dark Current
    100 pA
    Basisproduktnummer
    NJL6401

    NJL6401R-3-TE1 Unterlagen

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