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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
2
Blickwinkel
70°
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
35
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
75
Aktuell – Dunkel (Id) (Max)
100 nA
Produktstatus
Obsolete
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
35 V
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-25
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Verpackung/Koffer
Radial
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
4
Hersteller
Sharp Microelectronics
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C (TA)
Maximum Rise Time (ns)
3000(Typ)
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
20 mA
Maximum Collector Current (mA)
20
Maximum Fall Time (ns)
3500(Typ)
ECCN
EAR99
Material
Silicon
Package Length
3
Orientierung
Side View
Befestigungsart
Through Hole
Wellenlänge
800nm
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
6
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Serie
-
Typ
IR Chip
Viewing Orientation
Side View
Leistung max
75 mW
Part Status
Obsolete
Peak Wavelength (nm)
800
HTSUS
8541.49.7080
Paket
Tube
Linsenfarbe
Transparent
Package Width
2.95
PT480E00000F Unterlagen
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DBS60E-S4EN05000
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ENS1J-B20-L00256
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