Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
TPS610(F)
Sensors
TPS610(F)
54-TPS610(F)
Phototransistor Chip Silicon 800nm 2-Pin T-1 3/4
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SCHNELLE ANFRAGE
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Technische Daten
Number of Channels per Chip
1
Fabrication Technology
NPN Transistor
PCB changed
2
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Maximum Power Dissipation (mW)
150
Automotive
No
Minimum Operating Temperature (°C)
-20
Maximum Operating Temperature (°C)
75
Supplier Package
T-1 3/4
Phototransistor Type
Phototransistor
Package Height
9.65
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.4
Polarity
NPN
Lens Shape Type
Domed
EU RoHS
Compliant
Maximum Dark Current (nA)
100
Durchmesser
5.8
Maximum Rise Time (ns)
6000(Typ)
Maximum Collector Current (mA)
50
Maximum Fall Time (ns)
6000(Typ)
Material
Silicon
Maximum Emitter-Collector Voltage (V)
5
Pin Count
2
Mounting
Through Hole
Typ
Chip
Viewing Orientation
Top View
Half Intensity Angle Degrees (°)
16
Lead Shape
Through Hole
Part Status
Obsolete
Peak Wavelength (nm)
800
Maximum Light Current (uA)
250(Typ)
TPS610(F) Unterlagen
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