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Diodes Incorporated_DMT6016LPS-13
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Diodes Incorporated

DMT6016LPS-13  

AC DC DC Modules
Diodes Incorporated
DMT6016LPS-13
55-DMT6016LPS-13
Diodes Incorporated-DMT6016LPS-13-datasheet-941194.pdf
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MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
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    Beschreibung Technische Daten Unterlagen Einkaufsführer

    Technische Daten

    Unit Weight
    0.003386 oz
    Aufbau
    Single Quad Drain Triple Source
    Typical Turn-Off Delay Time (ns)
    13
    Id - Continuous Drain Current
    10.6 A
    Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
    100
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    864 pF @ 30 V
    Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
    Typical Rise Time (ns)
    5.2
    PPAP
    No
    Channel Mode
    Enhancement
    Typical Turn-On Delay Time (ns)
    3.4
    Fall Time
    7 ns
    Produktstatus
    Active
    RoHS
    RoHS Compliant
    Automotive
    No
    Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60 V
    Supplier Package
    PowerDI EP
    Maximum IDSS (uA)
    1
    Transistortyp
    1 N-Channel
    Verpackung/Koffer
    8-PowerTDFN
    Anzahl der Kanäle
    1 Channel
    Typical Turn-On Delay Time
    3.4 ns
    Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    REACH-Status
    REACH Unaffected
    Kanaltyp
    N
    EU RoHS
    Compliant
    Rds On - Drain-Source Resistance
    16 mOhms
    Maximum Continuous Drain Current (A)
    10
    Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
    Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Maximum Drain Source Voltage (V)
    60
    Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
    15@10V
    ECCN
    EAR99
    Befestigungsart
    Surface Mount
    RDS ein (max.) bei ID, VGS
    16mOhm @ 10A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
    Pin Count
    8
    Mounting
    Surface Mount
    Rise Time
    5.2 ns
    Lead Shape
    No Lead
    Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
    10.6A (Ta)
    Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
    4.5V, 10V
    Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
    2.5 V
    HTSUS
    8541.29.0095
    Paket
    Tape & Reel (TR)
    USHTS
    8541290095
    Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
    17@10V|[email protected]
    Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
    864@30V
    Category
    Power MOSFET
    PCB changed
    8
    HTS
    8541.29.00.95
    FET-Typ
    N-Channel
    Number of Elements per Chip
    1
    ECCN (US)
    EAR99
    Maximum Power Dissipation (mW)
    2600
    Qg - Gate Charge
    17 nC
    Gerätepaket des Lieferanten
    PowerDI5060-8
    Minimum Operating Temperature (°C)
    -55
    Maximum Operating Temperature (°C)
    150
    Verlustleistung (max.)
    1.23W (Ta)
    Typical Fall Time (ns)
    7
    Package Height
    1.05(Max)
    Hersteller
    Diodes Incorporated
    Vgs (Max)
    ±20V
    Maximum Operating Temperature
    + 150 C
    RoHS-Status
    ROHS3 Compliant
    Montageart
    SMD/SMT
    FET-Funktion
    -
    Maximum Gate Source Voltage (V)
    ±20
    Vgs - Gate-Source Voltage
    - 20 V, + 20 V
    Typical Turn-Off Delay Time
    13 ns
    Transistor Polarity
    N-Channel
    Package Length
    4.9
    Typical Gate Charge @ 10V (nC)
    17
    Minimum Operating Temperature
    - 55 C
    Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
    60 V
    Serie
    DMT60
    Part Status
    Active
    Maximum Gate Threshold Voltage (V)
    2.5
    Package Width
    5.8
    Pd - Power Dissipation
    2.7 W
    Basisproduktnummer
    DMT6016

    DMT6016LPS-13 Unterlagen

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