Cypress Semiconductor Corp
S29GL512P11TFI010
FPGAs (Field Programmable Gate Array)
S29GL512P11TFI010
2-S29GL512P11TFI010
3/3.3V V GL-P Memory IC GL-P Series 18.4mm mm
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SCHNELLE ANFRAGE
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S29GL512P11TFI010 Beschreibung
Technische Daten
Surface Mount
YES
Speichertyp
Non-Volatile
Height Seated (Max)
1.2mm
Number of Functions
1
Verpackung/Koffer
56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Spannungsversorgung
2.7V~3.6V
Betriebsart
ASYNCHRONOUS
Sector Size
128K
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
Supply Current-Max
0.11mA
Betriebstemperatur
-40°C~85°C TA
HTS Code
8542.32.00.51
Speicherschnittstelle
Parallel
Toggle Bit
YES
Befestigungsart
Surface Mount
Power Supplies
3/3.3V
Memory Width
1
Speichergröße
512Mb 32M x 16
Alternate Memory Width
8
Packaging
Tray
Terminal Pitch
0.5mm
Access Time (Max)
110 ns
Organization
512MX1
Command User Interface
YES
Number of Sectors/Size
512
Terminal Finish
Matte Tin (Sn)
Ready/Busy
YES
Terminal Position
DUAL
JESD-30 Code
R-PDSO-G56
Anzahl der Kündigungen
56
Supply Voltage-Max (Vsup)
3.6V
Versorgungsspannung
3V
ECCN Code
3A991.B.1.A
Breite
14mm
Gedächtnis-Format
FLASH
Qualification Status
Not Qualified
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Memory Density
536870912 bit
Supply Voltage-Min (Vsup)
2.7V
Page Size
8/16words
JESD-609 Code
e3
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Serie
GL-P
Standby Current-Max
0.000005A
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
110ns
Länge
18.4mm
Common Flash Interface
YES
Part Status
Obsolete
Published
2007
Programming Voltage
3V
Data Polling
YES
S29GL512P11TFI010 Unterlagen
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