Diodes Incorporated
ZVP3310FTA
AC DC DC Modules
ZVP3310FTA
55-ZVP3310FTA
MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
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Technische Daten
Unit Weight
0.000282 oz
Aufbau
Single
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
8(Max)
Id - Continuous Drain Current
75 mA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Produkt
MOSFET Small Signals
Typical Rise Time (ns)
8(Max)
PPAP
No
Channel Mode
Enhancement
Typical Turn-On Delay Time (ns)
8(Max)
Fall Time
8 ns
Produktstatus
Active
RoHS
RoHS Compliant
Automotive
No
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Supplier Package
SOT-23
Transistortyp
1 P-Channel
Verpackung/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Typical Turn-On Delay Time
8 ns
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
REACH-Status
REACH Unaffected
Kanaltyp
P
EU RoHS
Compliant
Rds On - Drain-Source Resistance
20 Ohms
Maximum Continuous Drain Current (A)
0.075
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Maximum Drain Source Voltage (V)
100
ECCN
EAR99
Supplier Temperature Grade
Automotive
Befestigungsart
Surface Mount
Standard Package Name
SOT
RDS ein (max.) bei ID, VGS
20Ohm @ 150mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Pin Count
3
Mounting
Surface Mount
Rise Time
8 ns
Lead Shape
Gull-wing
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
75mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.5 V
HTSUS
8541.21.0095
Paket
Tape & Reel (TR)
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)
20000@10V
USHTS
8541210095
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
50(Max)@25V
Category
Small Signal
PCB changed
3
HTS
COMPONENTS
FET-Typ
P-Channel
Number of Elements per Chip
1
ECCN (US)
EAR99
Maximum Power Dissipation (mW)
330
Qg - Gate Charge
-
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Verlustleistung (max.)
330mW (Ta)
Typical Fall Time (ns)
8(Max)
Process Technology
DMOS
Package Height
1.02(Max)
Hersteller
Diodes Incorporated
Vgs (Max)
±20V
Höhe
1.02 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Breite
1.4 mm
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Montageart
SMD/SMT
FET-Funktion
-
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
Typical Turn-Off Delay Time
8 ns
Transistor Polarity
P-Channel
Package Length
3.04(Max)
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Serie
ZVP3310
Typ
FET
Länge
3.04 mm
Forward Transconductance - Min
50 mS
Part Status
Active
Package Width
1.4(Max)
Pd - Power Dissipation
330 mW
Basisproduktnummer
ZVP3310
ZVP3310FTA Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für ZVP3310FTA
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